#1 |
数量:1638 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:32785 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:21526 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007 Mold Compound 08/April/2008 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 50 mOhm @ 4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 8.1nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 470pF @ 15V |
功率 - 最大 | 800mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | 6-SOT |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
associated | FDC658AP EYGA091203SM |
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